德扑之星 —— 新闻详情

随着高性能计算算力密度的不断攀升，数据中心的电源架构正加速向800 V直流（或±400 V）HVDC高压体系演进。业内普遍认为，800 V架构能够显著降低供配电网络中的能量损耗，提升整体能效，并为兆瓦级机柜的规模化部署提供技术支撑。

在这一趋势下，德扑之星凭借多年在功率半导体封测领域的深耕与技术积累，已率先完成从分立器件到高集成度�？榈娜绰贩獠饨饩龇桨�，为电源性能、配电效率、散热能力以及系统成本和尺寸提供全面优化，以满足不断增长的功率需求，更好地承载未来高性能计算领域的发展需求。

在初级电源转换单元（PSU）环节，德扑之星既能提供基于TO263-7L、TOLL、TOLT等先进大功率分立封装，又能提供业内领先的塑封功率�？�，兼容包括氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）第三代半导体材料功率器件。分立器件和塑封�？槎家盐榷ù蠊婺Ａ坎Ｃ娑�800 V直流架构，德扑之星已提前完成技术布局与量产验证。

中间总线转换（IBC）作为800 V与后段12V/4.8V低压输出之间的核心桥梁，其高功率密度与极低PDN损耗的性能要求，对封装技术提出了极高挑战。德扑之星在此领域能够提供双面散热的PDFN封装，并针对氮化镓MOSFET与硅基MOSFET均提供了成熟的封测方案。公司实现了多层高密度系统级封装（SiP），已在一流服务器板卡项目中批量交付。

在负载点电源（PoL）环节，德扑之星同样占据优势地位。公司面向DrMOS、多相控制器等产品提供成熟的QFN、新型LGA高度集成封装方案。德扑之星凭借自主研发的多层SiP工艺，实现了两相至八相多路输出的小型化电源管理�？�，单相最高电流可达60 A以上。同时，团队已完成新一代高集成度�？榈难蟹�，并在SiP互连可靠性测试中取得优异成绩。

贯穿PSU、IBC与PoL三大子系统，面对800 V大压差的板级应用需求，德扑之星在封装工艺上实现了“分立与集成并重、单片与�？椴⑿�”的技术格局，并在量产节奏上同步跟进市场需求。与此同时，通过与多家材料、设备以及系统集成商的深度合作，德扑之星在产业链上下游间建立了稳固的协同网络，为客户提供包括热仿真、可靠性测试、性能优化在内的全流程增值服务。

展望未来，随着800 V直流供电方案在全球算力平台中的规模化应用，德扑之星将继续发挥在封测领域的领先优势，不断优化高压散热封装、高密度SiP以及�？榧犊煽啃匝橹ぃ乱淮葜行牡缭戳煊蚵跸蚋咚椒⒄勾创葱驴占�。